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原子層堆積(ALD)装置

ShareAid ID:2292

機器・設備導入:2013

掲載情報更新:2026/05/20

型式
SP561-AL
メーカー
スプリード
製品情報URL
キャンパス
筑紫
設置場所
オープンイノベーション棟第一CR
概要・性能・仕様
気体ソースと酸化剤で反応成膜
試料サイズ: 最大3インチ
試料温度: 最大400℃, 到達真空度: 2×10-7 Torr(室温)
使用ソース:トリメチルアルミニウム(Al2O3成膜), エチルメチルアミノハフニウム(HfO2)
キーワード
区分
成膜・加工装置

管理者情報

半導体・デバイスエコシステム研究教育センター

センター事務室

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利用方法

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