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ECRスパッタリング装置

ShareAid ID:2291

機器・設備導入:

掲載情報更新:2026/05/20

型式
3400UD
メーカー
アフティ
製品情報URL
キャンパス
筑紫
設置場所
オープンイノベーション棟 1階
概要・性能・仕様
固体ソースでECR(Electron Cyclotron Resonance)反応成膜
マイクロ波導入: 分岐結合型, 試料サイズ: 最大4インチ
試料温度: 最大400℃, 到達真空度: 2×10-7 Torr(室温)
使用ガス:Ar, Kr, Xe, O2, N2
キーワード
区分
成膜・加工装置

管理者情報

半導体・デバイスエコシステム研究教育センター

センター事務室

office★csede.oi.kyushu-u.ac.jp
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利用方法

https://csede.kyushu-u.ac.jp/より申請してください

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